专利名称：垂直腔面发射半导体激光器专利类型：发明专利
发明人：宁永强,李秀山,王立军,贾鹏,刘云,秦莉,张星申请号：CN201410532155.X申请日：20141010公开号：CN104300364A公开日：20150121
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中VCSEL输出的单模功率低、单模稳定性差的技术问题。该激光器，包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR中设有具有氧化孔的氧化限制层；该激光器还包括P面电极、透明导电薄膜和环形绝缘介质膜，环形绝缘介质膜固定在P型DBR的上表面上，且遮挡出光孔的边缘，透明导电薄膜固定在P型DBR的上表面上，且覆盖环形绝缘介质膜，并遮挡出光孔；P面电极固定在透明导电薄膜上表面的边缘，且不遮挡出光孔。该激光器能增加基模的输出功率，提高可靠性。
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地址：130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
国籍：CN
代理机构：长春菁华专利商标代理事务所
代理人：王丹阳
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