专利名称：高热导率氮化硅陶瓷的制备方法专利类型：发明专利
发明人：宋晓超,张天宇,何东,张天舒申请号：CN201710114192.2申请日：20170228公开号：CN106747474A公开日：20170531
摘要：本发明提出了一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)按重量份数计算，称取氮化硅70～80份、稀土氧化物5～10份与烧结助剂2～6份混合均匀，加入至球磨机中，形成混合粉料，然后在电热真空干燥箱中110～120℃温度下连续干燥，完全干燥后在温度为‑20℃～0℃条件下，氢气气流中过筛，得到复合粉料；2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中，抽真空后进行放电等离子烧结，加热速度为10～15K/s，加热温度为1450～1700℃，保温时间为3～8min，获得致密的氮化硅陶瓷；其中，所述烧结助剂为氧化铝、氧化锰与氧化硼的混合物。该制备方法可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。
申请人：安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
地址：230012 安徽省合肥市新站区文忠路999号
国籍：CN
代理机构：北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：周超
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