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(精选)模电期末考试题及答案

2021-01-14 来源:乌哈旅游


《模拟电子技术》

一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。 (10分)

1只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。

( × )

2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

( √ )

3负反馈越深,电路的性能越稳定。

( × )

4零点漂移就是静态工作点的漂移。

( √ )

5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

( √ )

6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

( √ )

7半导体中的空穴带正电。

( √ )

8 P型半导体带正电,N型半导体带负电。

( × )

9实现运算电路不一定非引入负反馈。

( × )

10凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。

( × )

二、选择填空 (10分)

(1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 A ; 为了展宽频带,应在放大电路中引入 D 。 (A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈 (D)交流负反馈 (2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中, C 。 (A)φA=-1800,φF=+1800 (B)φA=+1800,φF=+1800 (C)φA=00,φF=00 (3)集成运放的互补输出级采用 B 。

(A)共基接法 (B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B 。

2

(A)β (B)β(C)2β (D)1+β (5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是 B ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 C 。

(A)共基放大电路 (B)共集放大电路 (C)共射放大电路

(6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC B uB B uE 。

(A) > (B) < (C) = (D)≤

(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 (A) 大 (B) 小 (C) 相等

三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。解:二极管D截止,u0=-6V

四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。 管 管 T1 T2 T3 T1 T2 T3 号 号 管 脚 ① 0.7 6.2 3 电 ① 极 ② 电 位 ② 0 6 10 ③ 5 3 3.7 (V) 材 料 名 称 ③ 类 型

五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为β=80,rbe=1.2 kΩ,RB=500 kΩ,RC=RL=5 kΩ,VCC=12V。

(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

UU的数值。 (2)估算信号源内阻为RS=1.2kΩ时,Aus0S

六、(10分)在图示电路中,已知VCC=12V,VEE=6V,恒流源电路 I=1 mA,RB1=RB2=1 kΩ,RC1=RC2=10 kΩ;两只晶体管特性完全相同, 且β1=β2=100,rbe1= rbe2=2 kΩ。估算: (1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;

(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0

七、(5分)在图示OCL电路中,已知T1、T2管的UCES1V,电源电压为±9V,负载电阻RL=8 Ω,试计算最大输出功率Pom及效率η。

八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。

九、(6分)在图示电路中,要求其输入电阻为20 kΩ,比例系数为-15,试求解R、RF和R的阻值。

十、(6分)求解图示电路的运算关系式。

十一、(9分)将图示电路合理连接,构成桥式(即文氏桥)正弦波振荡电路,并估算电路的振荡频率和R1的最大值。

十二、(5分)在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,IW=5mA,R1=1 kΩ,R2=200 Ω。试求输出电压U0的调节范围。

十三、(6分)串联型稳压电路如图所示,稳压管的稳定电压为UZ。填空:

调整管为 ,输出电压采样电阻

由 组成,基准电压电路由

组成,比较放大电路由 组成;输出电压调节范围的表达式为

试题十一答案

一、(1)×(2)√(3)×(4)√(5) √ (6)√(7)√(8)×(9)×(10)× 二、(1)A、D(2)C(3)B(4)B(5)B、C (6)B、B(7)A 三、二极管D截止,-6V 四、 管 管 T1 T2 T3 T1 号 号 管 脚 ① 0.7 6.2 3 电 ① B 电 位 ② 极 E C NPN B C PNP C B NPN 0 6 10 ② 名 ③ 5 3 ③ 3.7 称 (V) 材 类 Si Ge Si 料 型 T2 E T3 E

五、22.6цA;1.8mA;3V; -167;1.2kΩ;5 kΩ;-83.5 六、7V;-333;0;6 kΩ;20 kΩ 七、4W;5.7W;70% 八、(a)电压串联负反馈;1+R2/R1 (b)电压并联负反馈;-R2/R1 九、20 kΩ;300kΩ;18.75 kΩ

R十、u0uI12uI2

R1十一、 160 HZ;50 kΩ 十二、5V--35V

十三、T ;R1、R2、R3;R、DZ;A;

R1R2R3RR2R3UZU01UZ

R2R3R3

(注:专业文档是经验性极强的领域,无法思考和涵盖全面,素材和资料部分来自网络,供参考。可复制、编制,期待你的好评与关注)

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