专利名称：基座、气相生长装置、外延晶片的制造装置、外延
晶片的制造方法和外延晶片
专利类型：发明专利
发明人：吉田知佐,荒井刚,秋山谦二,大濑广树申请号：CN02827641.8申请日：20021127公开号：CN1618117A公开日：20050518
摘要：本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。
申请人：信越半导体株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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