SrF_2和稀土掺杂SrF_2薄膜的电沉积制备及其发光性能研究

第６卷第３期　２０１１年３月　中国科技论文在线ＳＣＩＥＮＣＥＰＡＰＥＲ　ＯＮＬＩＮＥ　Ｖｏ１．６Ｎｏ．３　Ｍａｒ．２Ｏｌ　１　ＳｒＦ２和稀土掺杂ＳｒＦ２薄膜的电沉积制备　及其发光性能研究　王　辉，陈科立，刘　润　（浙江大学化学系，杭州３１００２７）　摘要：利用电化学沉积法制备ＴＳｒＦ２和稀土元索掺杂ＳＷ２薄膜，并利用ＸＲＤ、ＦＥ－ＳＥＭ、ＰＬ等对其物相、形貌和光　学性能进行了表征。研究了稀土离子的不同掺杂比例对荧光发射强度的影响。通过阳极氧化抗坏血酸钠的方法，降低　了工作电极表面的ｐＨ值，从而使Ｓｒ－ＥＤＴＡ络合物释放出ｓｒ２　和Ｆ在电极表面成膜　ＸＲＤ表明，制得的ＳＦＦ２为立方相且　（１１１）为优势取向。ＦＥ—ＳＥＭ表明，电沉积法制得的ｓｒＦ２薄膜均匀致密，由直径为２００－－４００　ｎｉｎ的小球组成。ＳｒＦ２为良好　的荧光基质，优化掺杂Ｅｕ　和Ｔｂ　的薄膜表现出强烈的荧光发射。　关键词：电沉积；ＳｒＦ２；稀土功能材料；形貌；光致荧光　中图分类号：０６４　文献标志码：Ａ　，文章编号：ｌ６７３—７１８０（２０１１）０３—０２３７—５　ＥｌｅｃｔｒＯｄｅｐ０ｓｉｔｉ０ｎ　ｏｆ　ＳｒＦ２　ａｎｄ．ｒａｒｅ　ｅａｒｔｈ　ｄｏｐｅｄ　ＳｒＦｚ　ｆｉｌｍｓ　ａｎｄ　ｉｔｓ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　Ｗａｎｇ　Ｈｕｉ，Ｃｈｅｎ　Ｋｅｌｉ，Ｌｉｕ　Ｒｕｎ　（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｚｈ￣ｉａｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ　３　１　００２７，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　ｌｆｕｏｒｉｄｅ（ＳｒＦ２）ａｎｄ　ｔｈｅ　ｒａｒｅ　ｅａｒｔｈ（ＲＥ）ｄｏｐｅｄ　ＳｒＦ２　ｆｉｌｍｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｈｅ　ｅｌｔｅｃｔｒｉｃｈｅｍｉｃａｌ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ．ＳｒＦ２　ｆｉｌｍｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｏｎ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ　ｔｈｒｏｕｇｈ　ａｎｏｄｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ｇｅｎｅｒａｔｅｄ　ａｃｉｄ　ｉｎ　ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ　ｎｅａｒ　ｒｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｓａｍｅ　ｗａｙ，ＲＥ・ｄｏｐｅｄ　ＣａＦ２　ｆｉｌｍｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ．Ｔｈｅ　ｆｉｌｍ　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ　ｓｔｕｄｉｅｄ　ｂｙ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（ＳＥＭ）ｒｅｖｅａｌｓ　ｔｈａｔ　ｔｈｅｙ　ａｒｅ　ｄｅｎｓｅ　ｉｆｌｍｓ　ｗｈｉｃｈ　ｒａｅ　ｃｏｍｐｏｓｅｄ　ｏｆ　ｌｉｔｔｌｅ　ｓｐｈｅｒｅｓ．Ｔｈｅ　ｆｉｍｓｌ　ｓｈｏｗｓ　ａ　ｌｉｔｔｌｅ＜１１１＞ｐｒｅｆｅｒｅｄ　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ　ｂｙ　Ｘ・ｒａｙ　ｄｉｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）．Ｔｈｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ＳｒＦ２，ＳｒＦ２：Ｅｕ　ａｎｄ　ＳｒＦｓＴｂ　ｉｆｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄ　ｂｙ　ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ），ａｎｄ　ａｌｌ　ｉｆｍｓｌ　ｅｘｈｉｂｉｔ　ｉｎｔｅｎｓｅ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｐｅａｋｓ．Ｔｈｅ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ａｎｄ　ｍｏｌｅ　ｒａｔｉｏ　ｏｆ　ｒａｒｅ　ｅａｒｔｈ　ｉｏｎｓ　ｗｅｒｅ　ａｌｓｏ　ｓｔｕｄｉｅｄ　ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｗｏｒｋ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｅｌｅｃｔｒＯｄｅｐＯｓｉｔｉｏｎ；　ＳｒＦ２；　ｒａｒｅ　ｅａｒｔｈ　ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ；　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ；ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　氟化物具有低声子能量、高离子性，作为窗口、镜　片、闪烁晶体广泛应用于光学仪器【”。氟化锶是～种典　型的碱土氟化物，属于立方晶系，有较强的光学透过眭，　是制造光学玻璃ｆ。　和高级电子元件的优良材料。同时，　收稿日期：２０１０－１２—１３　氟化锶也是常用的荧光基质。当氟化锶掺杂适量的稀土　元素时，表现出良好的发光性能，具有光放大、上转换　发光　等性质。稀土元素荧光发射峰尖锐，量子产率高，　寿命长，光稳定性高　】，有望替代有机染料和半导体量　基金项目：国家自然科学基金资助项（２０９７３１５３）；高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（２００７０３３５１５６）　作者简介：王辉（１９８６　），女，硕士研究生，研究方向：稀土发光材料的制备　通信联系人：刘润，副教授，主要研究方向：材料电化学，ｒｕｎｌｉｕ＠ｚｊｕ．ｅｄｕ．ｃｎ　２３８　中国科技论文在线ＳＣｆＥＮＣＥＰＡＰＥＲ　０ＮＬｉＮＥ　第６卷第３期　２０１１年３月　子点作为新型的生物体荧光标记材料。　到目前为止，已经发展＿ｒ一些氟化物和稀土掺杂　氟化物的制备方法，如水热法、溶剂热法ｌｏＪ、溶胶一　璃为工作电极，饱和甘汞电极为参比电极，金属铂电极　为对电极组成三电极体系。沉积电压相对于饱和甘汞电　极为】．１　Ｖ，沉积温度为３０℃，沉积时间为１　ｈ。导电　玻璃上沉积出一层均匀致密的薄膜，收集试样，进行表　征分析。　凝胶法【，Ｊ、微波法等。然而，这些方法要求高温，高真　空，复杂的设备和繁琐的实验程序，阻碍了它们的普遍　应用。采用电化学沉积法制备具有一定取向的氟化锶和　稀土掺杂氟化锶薄膜，设备简单、操作方便、低温常压　下即可进行。　ＳｒＦ２：Ｔｂ，ＳｒＦ２：Ｅｕ试样的制备方法与上述实验步骤　类似，Ｔｂ　和Ｅｕ　按一定的浓度比掺杂。本实验中的　Ｔｂ（ＳＯ３）３试剂是由Ｔｂ４０７溶于浓硝酸中制得。　１实验部分　１．１试剂和仪器　２结果与讨论　２．１　电沉积ＳｒＦ２薄膜的机理分析　用电解水的方法产生　用于金属氟化膜的电沉积　制备已经得到证实和应用　Ｊ。在电沉积制备ＳｒＦ２及其掺　杂物的实验过程中，本文通过电解氧化溶液中的抗坏血　酸钠产生　，来达到降低工作电极表面ｐＨ值的目的。　从图１可以看出电化学氧化抗坏血酸钠涉及传递两电子　及一个质子，在电极表面产生的　降低了电极表面的　ｐＨ值，Ｓｒ２￣－ＥＤＴＡ络合物的稳定『生降低从而释放出Ｓ　，　六水氯化锶、氟化铵、乙二胺四乙酸二钠、抗坏血　酸钠、氧化铽、硝酸铕等均为分析纯。电化学工作站的　型号为ＣＨＩ　６６０Ｂ（上海辰华仪器公司）。产物物相分析　使用Ｔｈｅｒｍｏ　Ｘ’ＴＲＡ型ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ），辐射源为　ＣｕＫａ（２＝０．１５４０６ｒｉｍ），操作电压４０ｋＶ，电流４０ｍＡ。　采用阶梯扫描方式收集衍射峰型，阶宽０．０２０，扫描范　围为２０。￣８０。。场发射扫描电镜（ＦＥ—ＳＥＭ）型号为　ＦＥＩＳＩＲＩＯＮ一１００。荧光光谱仪（ＰＬ）型号为Ｈｉｔａｃｌｌｉ．Ｆ２５００，　与游离的Ｆ’在电极表面形成ＳｒＦ２薄膜。虽然电解Ｈ２Ｏ　也可以产生Ｈ＿，但是抗坏血酸钠被电解的初始电位要　比电解Ｈ２０低。图２为加入抗坏血酸钠时水溶液的循　环伏安益线。从图２上可以看出，电解氧化抗坏血酸的　初始电位只有０．４　Ｖ　ＶＳ　ＳＣＥ左右，而电解水的初始电位　理论上是０．９９　Ｖ　ＶＳ　ＳＣＥ。因此，可能的生成机理可用　下歹Ｕ反应式表示：　Ｘｅ灯为光源，功率为１５０Ｗ。　１．２　ＩＴ．０基底的预处理　ＩＴＯ导电玻璃的预处理：首先用丙酮和去离子水　反复冲洗，然后用去离子水放在超声波清洗器里清洗　１５　ｍｉｎ，将导电玻璃置于３０％的硝酸溶液中活化，最后　用去离子水清洗。　１－３实验步骤　Ｓｒ２＿＋ＥＤＴＡ＿÷Ｓｒ２．．ＥＤＴＡ　ｃｏｍｐｌｅｘ。　Ｃ６Ｈ７０６一－＿＋Ｃ６Ｈ６０６＋Ｉ－ｉ＋＋２ｅ。　Ｈ２０＿÷２Ｈ＋＋１／２０２＋２ｅ。　（１）　（２）　（３）　准确称取２ｍｍｏｌＳｒＣ１２溶于４０ｍＬ去离子水中，加　入２　ｍｍｏｌ　ＥＤＴＡ，并搅拌２０　ｍｉｎ得到澄清溶液。准确　称取１０　ｍｍｏｌ　ＮＨｙ溶于２０　ｍＬ去离子水中，将哪　溶液逐滴加入Ｓｒ－ＥＤＴＡ溶液中，搅拌５　ｍｉｎ。向溶液中　加入１０　ｍｍｏｌ抗坏血酸钠，并加去离子水使溶液的总体　积为１００　ｍＬ，用ＨＮＯ３溶液调节混合液的ｐＨ值为６．５０。　Ｓｒ２＋－ＥＤＴＡ＋ｘＨ＋—÷Ｈ　ＥＤＴＡ　一　＋Ｓｒ２　。＋２Ｆ—ＳｒＦ２。　（４）　（５）　将配好的溶液作为电解液进行电沉积。ＩＴＯ导电玻　ＨＯ　０　Ｉ－ＩＯ　Ｈ　Ｈ　０　—————　—————＇　Ｈ０　Ｌ—ａｓｃｏｒｂａｔｃ　ｄｅｈｙｄｒｏ—Ｌ—ａ＊ｃｏｒｂｉｃ　ａｃｉｄ　２３．ｄｉｋｅｔｏｇｌｕｃｏｎｉｃ　ａｃｉｄ　，图ｌ　电化学氧化抗坏血酸纳的反应过程　Ｆｉｇ．１　Ｏｖｅｒａｌｌ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　ｓｃｈｅｍｅ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｌ—ａｓｃｏｒｂａｔｅ　第６卷第３期　２０１１年３月　ＳｒＦ２和稀土掺杂ＳｒＦｚ薄膜的电沉积制备及其发光性能研究　２３９　２．２　ＳｒＦ２薄膜的结构与形貌　为了测定产品的物相和晶体结构，用ｘ射线粉末衍　射仪对产品进行了表征。如图３，沉积电压为１．１　Ｖ　ＶＳ　ＳＣＥ，沉积温度为３０℃时，得到ＳｒＦ２和掺杂１５％Ｔｂ＞　的ＳｒＦ２试样的ＸＲＤ图谱。经分析可知，薄膜的主要衍　射峰可以被指认为具有立方晶系的ＳｒＦ２（ＩＣＤＤ　０６—０２６２），空间群为Ｆｍ３ｍ［２２５］，没有其他相的ＳｒＦ２掺　杂。３４．９。处的出峰为基底１ＴＯ导电玻璃上的Ｉｎ２０３衍射　ＩＩ￣（ＩＣＤＤ　０６—０４１６）。图中的衍射峰高而尖说明ＳｒＦ２的结　晶度非常好，衍射峰出现宽化现象，是因为样品颗粒的　图２抗坏血酸的循环伏安曲线　Ｆｉｇ．２　Ｃｙｃｌｅ　ｖｏｌｔａｍｍｏｇｒａｍ　ｃｕｒｖｅ　ｏｆＬ—ａｓｃｏｒｂａｔｅ　尺寸达到了纳米级。稀土离子掺杂的ＳｒＦ２薄膜的衍射峰　相对于纯ＳｒＦ２有小角度的偏移，表明稀土离子巳掺杂进　晶格中。　（ａ）（ｂ）　图３　电沉积ＳｒＦ２（ａ）和ＳｒＦ２：１５％Ｔｂ（ｂ）薄膜的Ｘ射线衍射图，沉积电压１．１Ｖｖｓ　ＳＣＥ，３０℃　Ｆｉｇ．３　ＸＲＤｐａｔｔｅｍｓｏｆＳｒＦ２　ａｎｄＳｒＦ２：Ｔｂｔｈｉｎｆｉｌｍｓｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄａｔ１．１ＶＶＳ　ＳＣＥ　ａｎｄ　３０℃　在沉积电压为１．１　ＶＶＳ　ＳＣＥ，沉积温度为３０℃条件　下得到的ＳｒＦ２薄膜的ＳＥＭ照片，如图４所示。由图４（ａ）　可知，所得的薄膜均匀致密，由纳米球紧密排列而成。　图４０９）是样品在较高分辨率下的ＳＥＭ图，纳米球是由　许多纳米级的微小颗粒团聚而成。　（ｂ）　图４电沉积ＳｒＦ２薄膜不同分辨率的ＳＥＭ照片，沉积电压为　１．１ＶｖｓＳＣＥ．３０℃　Ｆｉｇ．４　ＳＥＭ　ｉｍａｇｅｓ　ｉｎ　ｄｉｆｅｒｅｎｔ　ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｏｆＳｒＦ２　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　１．１Ｖｖｓ　ＳＣＥ　ａｎｄ　３０℃　（ａ）　２．３　ＳｒＦ２、ＳｒＦ２：Ｔｂ和ＳｒＦ２：Ｅｕ薄膜的光学性能　稀土元素具有良好的光学眭能，在特定波长的光源　２４０　中国科技论文在线ＳＣＩＥＮＣＥＰＡＰＥＲ　ＯＮＬＩＮＥ　第６卷第３期　２０１１年３月　激发下，能呈现一组特征发射峰。ＳｒＦ２薄膜中掺杂有稀　土离子后表现出与纯ＳｒＦ２不同的荧光性能，因此，笔者　对电沉积制得的稀土离子掺杂的ＳｒＦ２薄膜的发光性能　进行了研究。　图５是在相对于饱和甘汞电极１．１　Ｖ、温度为３０℃　的条件下，电沉积制得的ＳｒＦ２薄膜室温荧光发射光谱，　激发波长为２５７　ｎｍ，发射峰以３２２　ｎｍ为中心。　图６（ａ）是沉积电压为１．１　Ｖ　ＶＳ　ＳＣＥ，沉积温度为　３０℃时，掺杂物质的量比为２０％三价铕离子的ＳｒＦ２薄　膜的荧光发射光谱图。当激发波长为３９７　ｎｍ时，Ｅｕｊ十　发射峰位置为５８２　ｎｉｎ、５９５　ｎｍ、６１８　ｎｍ，分别对应于　Ｄ０一　Ｆ０，　Ｄｏ一　Ｆｌ，　Ｄ　Ｆ２跃迁。通常情况下，当　Ｅｕ计处在无反演对称性的晶格环境中时，电偶极子跃迁　Ｄｏ一　Ｆ２最为显著；处在具有反演对称性的晶格中时，　磁偶极子跃迁　Ｄｏ　Ｆｌ为主。所以，通过　Ｄ　Ｆｌ和　Ｄｏ一　Ｆ２跃迁的强度比例可以推测Ｅｕｊ十所处的晶格环　境。由于氟离子在主晶格中的影响，使得’Ｄ０一　Ｆｌ跃迁　比　Ｄ　Ｆ’要强。图６（ｂ）反映了荧光发射峰的相对强度　五／ｈｍ　与Ｅｕ　掺杂物质的量比的关系，发射峰的强度随三价铕　图５　电沉积ＳｒＦ２薄膜的荧光发射光谱，沉积电压为１．１　Ｖｖｓ　离子比例的增加先增大后减小，最佳掺杂物质的量比为　ＳＣＥ．３０℃　２０％。当掺杂比太大时，由于存在浓度淬灭现象导致荧　Ｆｉｇ．５　ＰＬ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆＳｒＦ２　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　光发射峰强度减弱。　１．１　ＶＶＳＳＣＥａｎｄ３０℃　疆　莨　（ａ）（ｂ）　图６（ａ）ＳｒＦ２：Ｅｕ（摩尔分数为２０％）薄膜室温荧光发射光谱，沉积电压为１．１　ＶＶＳ　ＳＣＥ，３０℃；Ｃｏ）荧光发射峰的相对强度与　Ｅｕ３　掺杂物质的量比的关系　Ｆｉｇ．６（ａ）ＰＬｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａｏｆＳｒＦａ：Ｅｕ（２０ｔｏｏｌ％）ｔｈｉｎｆｉｌｍｓ　ｅｌｅｃｌｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄａｔ　１．１Ｖｖｓ　ＳＣＥａｎｄ　３０℃；（ｂ）Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｎｉｔｅｎｓｉｔｙ　ａｎｄ　ａｍｏｕｎｔ　ｏｆｓｕｂｓｔａｎｃｅ　ｒａｔｉｏ　ｏｆＥｕ　ｉｏｎｓ　图７（ａ）是沉积电压相对于饱和甘汞电极为１．１　著，发出强的绿光。图７（ｂ）反映了室温荧光发射峰的　Ｖ，沉积温度为３０℃时，掺杂物质的量比为ｌ５％的　相对强度与Ｔｂ　掺杂物质的量比的关系，发射峰的强　铽离子的ＳｒＦ２薄膜的荧光发射光谱图。当激发波长　度随三价铽离子比例的增加先增大后减小，最佳掺杂　为３７８　ｎｍ时，在５４３　ｎｍ、５８８　ｎｍ、６２５　ｎｍ处得到　物质的量比为１５％。当掺杂比太大时，由于存在浓度　Ｔｂ”的发射峰，分别对应于　Ｄ４一　Ｆ５，’Ｄ４一　Ｆ４，　淬灭导致荧光发射峰强度减弱。　’Ｄ４一　Ｆ３跃迁。其中，５４３　ｒｉｍ处的　Ｄ４一　Ｆ５跃迂最显　第６卷第３期　２０１１年３月　ＳｒＦｚ和稀土掺杂ＳｒＦｚ薄膜的电沉积制备及其发光性能研究　２４１　骥　慧　靛　∞　）．／ｎｍ　Ｔｂ｝Ｘｆ　（ａ）　Ｃｏ）　图７（ａ）ＳｒＦ２：Ｔｂ（摩尔分数为１５％）薄膜室温荧光发射光谱，沉积电压为１．１ＶＶＳ　ＳＣＥ，３０℃；７（ｂ）荧光发射峰的相对强度与　Ｔｂ　掺杂物质的量比的关系　Ｆｉｇ．７（ａ）ＰＬｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａｏｆＳｒＦ２：Ｔｂ（１５ｍｏｌ％）ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄａｔ１．１ＶｖｓＳＣＥａｎｄ　３０℃．（ｂ）Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ｎａｄ　ａｍｏｕｎｔ　ｏｆｓｕｂｓｔａｎｃｅ　ｒａｔｉｏ　ｏｆＴｂ　ｉｏｎｓ　３结论　ｎａｎｏｃｒｙｓａｔｌｓ［Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００９，２５（５）：　８５５—８５９．　通过阳极氧化抗坏血酸钠的方法能降低沉积电压，　［４］ＪｉｎＹｅ，ＱｉｎＷｅｉｐｉｎｇ，Ｚｈａｎｇ　Ｊｉｓｅｎ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　得到具有球状形貌、均匀致密的ＳｒＦ２及稀土掺杂ＳｒＦ２　ｏｆ　ＳｒＦ２．Ｅｕ３　ｎａｎｏｓｐｈｅｒｅｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｆｌｕｏｒｉｎｅ　Ｃｈｅｍｉｓｌｒｙ，２００８，　薄膜。电沉积法制得的ＳｒＦ２为立方相且（１１　１）为优势取　１２９（６）：５１５—５１８．　［５］　Ｉｖａｎｏｖｓｋｉｋｈ　Ｋ、‘Ｐｕｓｔｏｖａｒｏｖ　Ｖ　Ａ，Ｓｈｕｌ’ｇｉＩ１　Ｂ、‘ｅｔ　ａ１．Ｌｏｗ—　向。室温下的荧光发射光谱证明，ＳｒＦｚ为良好的荧光基　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｔｉｍｅ—ｒｅｓｏｌｖｅｄ　ＶＵＶ　ｌｍｕｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｏｆ　质。基于氟化物在光学上的应用潜力，掺杂稀土元素的　ＳｒＦ２：Ｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ　．Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ，２００５，４７（８）：　ＳｒＦ２薄膜的光学性能还需进一步研究。　１４４６．１４４９．　［６］Ｈｏｎｇ　Ｂ　Ｃ，Ｋａｗａｎｏ　Ｋ．Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ眦ｅａｒｔｈ　ｉｏｎｓ—ｄｏｐｅｄ　ＣａＦ２　ａｎｄ　Ｍ　２　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ［Ｊ】．　［参考文献］（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ）　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＡｌｌｏｙｓ　ｎａｄ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ．２００６．４０８（９）：８３８－８４１．　［１］　Ｑｕａｎ　Ｚｅｗｅｉ，Ｙａｎｇ　Ｄｏｎｇｍｅｉ，Ｙａｎｇ　Ｐｉａｏｐｉｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｕｎｉｆｏｒｍ　ｃｏｌｌｏｉｄａｌ　［７】　Ｑｕａｎ　Ｚｅｗｅｉ，Ｙａｎｇ　Ｄｏｎｇｍｅｉ，Ｌｉ　Ｃｈｕｎｘｉ￣ｅｔ　ａ１．ＳｒＦ２　ｈｉｅｒａｒｃｈｉｃａｌ　ａｌｋａｌｉｎｅ　ｅａｒｔｈ　ｍｅｔａｌ　ｆｌｕｏｒｉｄｅ　ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ：ｎｏｎｈｙｄｒｏｌｙｔｉｃ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｌｆｏｗｅｒｌｉｋｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ：Ｓｏｌｖｏｔｈｅｒｍａｌ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ。ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ，　ａｎｄ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ［Ｊ］．Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００８，４７（２ｏ）：　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ川．Ｍａｔｅｒｉｌａｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｂｕｌｌｅｔｎｉ，２００９，４４（５）：　９５０９—９５１７．　１００９—１０１６．　［２】Ｌｕｏ　Ｑｕｎ，Ｑｉａｏ　Ｘｕｓｈｅｎｇ，Ｆａｎ　Ｘｉｎａｐｉｎｇ．Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　［８］　Ｓｈｉ　Ｘｉａｏｆａｎｇ，Ｌｉｕ　Ｒｕｎ，Ｘｕ　Ｚｈｕｄｅ．Ｅ１ｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ＣｅＦ３　Ｅｕ２＋－ｄｏｐｅｄ　ｇｌａｓｓ　ｃｅｒａｍｉｃｓ　ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ＳｒＦ２　ｎａｎｏｃｒｙｓａｔｌｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　ａｎｄ　ＣｅＦ３：Ｔｂ　ｆｉｌｍｓ　ｂｙ　ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ｇｅｎｅｒａｔｅｄ　ａｃｉｄ［Ｊ］．　Ｃｅｒａｍ　Ｓｏｃ，２０１０，９３（９）：２６８４－２６８８．　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｓｏｌｉｄ—Ｓｔａｔｅ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１０，１　３（６）：Ｅ７－Ｅ９．　［３］Ｙａｎｇ　Ｋｕｉｓｈｅｎｇ，Ｚｈａｉ　Ｈａｉｑｉｎｇ，Ｃｕｉ　Ｇｕａｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ａｎｄ　ｕｐ－ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　ｌｍｕｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｅ　ｃｘｘｌｏｐｅｄ　ＳｒＦ２