专利名称：一种带隙基准参考源电路专利类型：发明专利
发明人：李振国,张海峰,胡毅,何洋,杨小坤,靳嘉桢申请号：CN201711014994.2申请日：20171025公开号：CN107608440A公开日：20180119
摘要：本发明公开了一种带隙基准参考源电路，包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器；差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连，差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连；差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路，通过选取适当的阻值，可以得到小于1V的带隙基准电压，并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时，可以消除温度引起漏源电压变化，从而降低沟道调制效应的影响。
申请人：北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网公司
地址：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
国籍：CN
代理机构：北京中誉威圣知识产权代理有限公司
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